瓜葉菊幼苗階段生長(zhǎng)緩慢且較嬌弱,建議采用育苗專用基質(zhì)和較大口徑的穴盤進(jìn)行育苗工作。
育苗基質(zhì)應(yīng)有很好的透氣性。不要使用密度過(guò)大的基質(zhì)育苗,基質(zhì)pH值要在6.2至6.5之間,基質(zhì) EC值要在0.5至0.75mS/cm(1:2檢測(cè)法)。瓜葉菊幼苗期第一和第二階段(見(jiàn)下文)對(duì)基質(zhì)高EC值較敏感,所以建議盡量不要使用含營(yíng)養(yǎng)啟動(dòng)劑的育苗基質(zhì)。育苗穴盤應(yīng)使用200穴孔的穴盤。為了保證瓜葉菊種子萌發(fā)所需的濕度,在播種前填完基質(zhì)后,在穴盤上覆蓋薄薄一層粗蛭石。
第一階段 胚根萌發(fā)(5至7天)
此階段基質(zhì)溫度應(yīng)保持在20至22℃之間。注意頻繁的澆灌會(huì)使基質(zhì)溫度保持在較低的水平。高強(qiáng)度的光照也會(huì)使基質(zhì)溫度迅速上升。所以此階段應(yīng)將穴盤置于遮陰的環(huán)境中。
瓜葉菊種子萌發(fā)需光照,在播后千萬(wàn)不要再覆蓋粗蛭石。
此階段不要施肥。
胚根預(yù)計(jì)在3至4天內(nèi)出現(xiàn)。第一階段后期瓜葉菊的胚根應(yīng)基本全部形成了。
第二階段 莖干和子葉出現(xiàn)(8至12天)
維持基質(zhì)潮濕狀態(tài),不要飽和,允許表層基質(zhì)有輕微的干燥,以促使瓜葉菊根系向下向基質(zhì)深處生長(zhǎng)。
基質(zhì)溫度應(yīng)維持在20至21℃之間。注意高強(qiáng)度光照和頻繁灌溉對(duì)基質(zhì)溫度的影響。長(zhǎng)時(shí)間基質(zhì)溫度超過(guò)28℃對(duì)第一階段和第二階段的瓜葉菊幼苗十分不利。
此階段開(kāi)始可以施用低濃度的13-2-13等鈣鎂配方水溶性肥,一般以每周一次為宜,每次以氮的濃度為50ppm左右為宜。
應(yīng)定期檢查基質(zhì)EC值,確;|(zhì)EC值在0.5至0.75mS/cm(1:2檢測(cè)法)。
短日照環(huán)境能促進(jìn)幼苗的營(yíng)養(yǎng)生長(zhǎng)。白天光照強(qiáng)度應(yīng)保持在 15000勒克斯左右。
本階段后期結(jié)束后,整個(gè)萌發(fā)過(guò)程就完成了,根系和莖干及子葉開(kāi)始進(jìn)入發(fā)育階段。
第三階段 真葉生長(zhǎng)和發(fā)育(21至28天)
基質(zhì)溫度應(yīng)維持在18至21℃之間,基質(zhì)濕度應(yīng)維持在中等偏下水平,待基質(zhì)表層顏色變淺略顯棕色時(shí)就可以澆灌了,這樣做能保證基質(zhì)里的空氣得到交換流通。干濕交替的基質(zhì)會(huì)促使瓜葉菊幼苗根系很快穿透基質(zhì)。
此階段施肥濃度應(yīng)控制在氮的濃度為100至150ppm,每周一次13-2-13等鈣鎂配方水溶性肥。
應(yīng)定期檢測(cè)基質(zhì)EC值,確;|(zhì)EC值在0.75至1.0mS/cm之間。短日照環(huán)境能促進(jìn)營(yíng)養(yǎng)生長(zhǎng)。白天光照強(qiáng)度保持在25000勒克斯。
本階段后期,瓜葉菊幼苗根系穿透基質(zhì)并開(kāi)始逐步向包裹基質(zhì)團(tuán)發(fā)展。同時(shí)瓜葉菊第一片真葉也開(kāi)始生長(zhǎng)發(fā)育。第四階段 準(zhǔn)備移植或運(yùn)輸(7至10天)
基質(zhì)溫度應(yīng)降低到15至17℃;|(zhì)濕度應(yīng)較前一階段更低一些,以“見(jiàn)干見(jiàn)濕”為原則,以促使瓜葉菊幼苗根系生長(zhǎng)并將基質(zhì)包裹住形成良好的根團(tuán)。第三和第四階段不允許基質(zhì)完全干燥,否則幼苗會(huì)停止生長(zhǎng)或生長(zhǎng)緩慢且變得易患病。
施肥濃度控制在氮的濃度為100至150ppm,每周一次。
短日照環(huán)境促進(jìn)營(yíng)養(yǎng)生長(zhǎng),光照強(qiáng)度控制在 30000勒克斯左右為宜。將基質(zhì)完全包裹,并能很容易地將幼苗從穴孔中提出來(lái)。其他育苗要領(lǐng)
1.種子播后要馬上澆水,一定要使用霧化噴頭,以避免水流將種子沖走。種子的發(fā)芽率和發(fā)芽一致性取決于空氣相對(duì)濕度,較高的空氣相對(duì)濕度能獲得高發(fā)芽率和發(fā)芽一致性。瓜葉菊種子在空氣相對(duì)濕度為98%至100%的范圍內(nèi)發(fā)芽率和發(fā)芽整齊性最好。
育苗時(shí)可采用在穴盤上方15至25厘米外覆蓋一層無(wú)紡布,或經(jīng)常用霧化噴頭澆灌(在胚根出現(xiàn)后就應(yīng)減少澆水次數(shù)),或?qū)⒀ūP放置在較遮陰處(減少表層基質(zhì)的水分流失),這些措施都可以獲得較高的穴盤局部空氣相對(duì)濕度。
影響瓜葉菊穴盤局部空氣相對(duì)濕度的主要因素是通風(fēng)情況和基質(zhì)含水量、穴盤局部溫度,這些因素主要取決于基質(zhì)表面的水蒸發(fā)量。
在胚根出現(xiàn)前可以讓基質(zhì)處于飽和狀態(tài),在胚根開(kāi)始出現(xiàn)和發(fā)育時(shí)應(yīng)將基質(zhì)含水量控制在潮濕狀態(tài)。過(guò)飽和的基質(zhì)(基質(zhì)含水量過(guò)大,持水量達(dá)到極限)會(huì)使瓜葉菊幼苗的根系僅停留在基質(zhì)表面,不會(huì)向下和向基質(zhì)里生長(zhǎng)。這是十分危險(xiǎn)的,一旦表層基質(zhì)失水,萌發(fā)的幼苗就極可能干涸而死。
2.從第二階段開(kāi)始要確保瓜葉菊幼苗的葉片在天黑前是干燥的。換句話說(shuō),不要在下午澆灌幼苗,如果必須澆灌的話,也要提供良好的通風(fēng)環(huán)境。晚上葉片長(zhǎng)時(shí)間(大于4小時(shí))的潮濕是促使灰霉病及白粉病發(fā)生的主要原因。
3.避免使用過(guò)量的氮肥和磷肥,過(guò)量的銨態(tài)氮和磷肥會(huì)使幼苗莖干和葉片生長(zhǎng)過(guò)快且過(guò)于軟弱(過(guò)分的營(yíng)養(yǎng)生長(zhǎng)),不結(jié)實(shí)的莖干和軟弱的葉片會(huì)使立枯病發(fā)病率大大提高。
4.從第二階段開(kāi)始逐步的增加通風(fēng)是避免幼苗徒長(zhǎng)和患病的最佳方法。
5.必要的話,可以對(duì)幼苗施用生長(zhǎng)調(diào)節(jié)劑。
如使用低濃度的Daminozide或A-Rese都可控制幼苗的株高和莖節(jié)長(zhǎng)度。
如果能控制好肥料中的銨態(tài)氮含量和DIF及澆灌頻率的話,瓜葉菊幼苗也可以在不施用生長(zhǎng)調(diào)節(jié)劑的條件下生長(zhǎng)得緊湊健壯。